光伏技術(shù) 降低本錢(qián)是戰(zhàn)略方向

晶體硅光伏技術(shù)占據(jù)市場(chǎng)的主要份額。全世界裝置的所有太陽(yáng)能陣列中，約87%由晶體硅構(gòu)成。但當(dāng)前晶體硅光伏技術(shù)的利息過(guò)于高貴，需要不時(shí)減少第一代光伏電池—晶體硅光伏電池的硅片厚度。雖然過(guò)去幾年中，硅片平均厚度已從300350微米變?yōu)?50微米左右，但尚未進(jìn)入市場(chǎng)可承受的范圍。

與晶體硅電池相比，第二代光伏電池—薄膜光伏電池的效率較低，大多數(shù)的轉(zhuǎn)化效率為5%～10%。此外，薄膜太陽(yáng)能電池不夠穩(wěn)定，資料會(huì)因流露于太陽(yáng)光下而變質(zhì)。但是薄膜太陽(yáng)能電池所需要的原材料要比晶體硅電池少，且不那么昂貴。褚君浩預(yù)測(cè)，2012年，晶體硅光伏電池設(shè)備所占比例將從目前的87%跌落到75%，而其余的25%將由薄膜基占據(jù)。

褚君浩還提到第三代新概念太陽(yáng)能電池技術(shù)—染料敏化太陽(yáng)能電池(DSSCDSSC用染料分子來(lái)吸收入射光，比晶體硅電池便宜，但效率比前兩者都低，而且也存在穩(wěn)定性問(wèn)題。中國(guó)科學(xué)院孟慶波博士指出，DSSC一大優(yōu)點(diǎn)是較容易生產(chǎn)。中國(guó)，研究人員正在考察DSSC中使用的激進(jìn)電解質(zhì)資料碘化鋰是否可以用更便宜的碘化鋁來(lái)代替，以進(jìn)一步降低本錢(qián)。

對(duì)于地球是否能提供足夠的資料以滿足大規(guī)模太陽(yáng)能發(fā)電的需要，參與第一屆CS3研討會(huì)的英國(guó)巴斯大學(xué)的勞里·彼得博士認(rèn)為，化學(xué)家們需要重新審視過(guò)去的工作，采用更適于長(zhǎng)期、規(guī)模化應(yīng)用的新資料來(lái)進(jìn)行替代實(shí)驗(yàn)。

具有半導(dǎo)體性質(zhì)，是極為重要的優(yōu)良半導(dǎo)體材料。

多晶硅是生產(chǎn)單晶硅的直接原料，是當(dāng)代人工智能、自動(dòng)控制、信息處理、光電轉(zhuǎn)換等半導(dǎo)體器件的電子信息基礎(chǔ)材料;被稱(chēng)為“微電子大廈的基石”。

當(dāng)前，晶體硅材料(包括多晶硅和單晶硅)是最主要的光伏材料，其市場(chǎng)占有率在90%以上,而且在今后相當(dāng)長(zhǎng)的一段時(shí)期也依然是太陽(yáng)能電池的主流材料。多晶硅材料的生產(chǎn)技術(shù)長(zhǎng)期以來(lái)掌握在美、日、德等3個(gè)國(guó)家7個(gè)公司的10家工廠手中，形成技術(shù)封鎖、市場(chǎng)壟斷的狀況。

目前國(guó)際上多晶硅生產(chǎn)主要的傳統(tǒng)工藝有：改良西門(mén)子法、硅烷法和流化床法。其中改良西門(mén)子工藝生產(chǎn)的多晶硅的產(chǎn)能約占世界總產(chǎn)能的80%，短期內(nèi)產(chǎn)業(yè)化技術(shù)壟斷封鎖的局面不會(huì)改變。